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画像はあくまで参考です。
STP4NB50
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 500V 3.8A TO-220
Date Sheet
在庫數 700
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：80W Tc
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：PowerMESH™
- JESD-609 Code：e0
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Voltage - Rated DC：500V
- Current Rating：3.8A
- Base Part Number：STP4N
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：80W
- Turn On Delay Time：11 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.8 Ω @ 1.9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：400pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：21nC @ 10V
- Rise Time：8ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3.8A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：15.2A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：220 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Contains Lead
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