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2N5012
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Microchip
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-5-3
- Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Date Sheet
在庫數 22
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-5-3
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Emitter- Base Voltage VEBO：5 V
- Pd - Power Dissipation：1 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：30 at 25 mA, 10 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.6 V
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Mounting Styles：Through Hole
- Maximum DC Collector Current：200 mA
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：700 V
- Risk Rank：8.12
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Number of Elements：1
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer Part Number：2N5012
- Rohs Code：No
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Package Body Material：METAL
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Description：TO-5, 3 PIN
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：No
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN LEAD
- HTS Code：8541.29.00.95
- Technology：Si
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：WIRE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- JESD-30 Code：O-MBCY-W3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：Single
- Polarity/Channel Type：NPN
- JEDEC-95 Code：TO-5
- Collector Base Voltage (VCBO)：700 V
- Collector Current-Max (IC)：0.2 A
- DC Current Gain-Min (hFE)：30
- Collector-Emitter Voltage-Max：700 V
在庫數 22
小計金額 $0.00000
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