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FDI3632
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET 100V 80a 0.009 Ohms/VGS=10V
Date Sheet
在庫數 50
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Supplier Device Package：I2PAK (TO-262)
- Weight：2.084g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A Ta 80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：310W Tc
- Turn Off Delay Time：96 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：PowerTrench®
- Published：2004
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Max Operating Temperature：175°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Voltage - Rated DC：100V
- Current Rating：80A
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：310W
- Turn On Delay Time：30 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：9mOhm @ 80A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：6000pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：110nC @ 10V
- Rise Time：39ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：46 ns
- Continuous Drain Current (ID)：80A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Input Capacitance：6nF
- Drain to Source Resistance：7.5mOhm
- Rds On Max：9 mΩ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
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小計金額 $0.00000
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