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画像はあくまで参考です。
2N7002LT3
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
Date Sheet
在庫數 50000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：115mA Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：225mW Ta
- Turn Off Delay Time：40 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e0
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn80Pb20)
- Voltage - Rated DC：60V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：240
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Current Rating：115A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PDSO-G3
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：300mW
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：7.5 Ω @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：50pF @ 25V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：115mA
- JEDEC-95 Code：TO-236AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Feedback Cap-Max (Crss)：5 pF
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Contains Lead
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