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STGHU30M65DF2AG
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STMicroelectronics
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Transistors - IGBTs - Arrays
- HU3PAK-7
- IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Date Sheet
在庫數 96
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：HU3PAK-7
- RoHS：RoHS Compliant
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：650 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.6 V
- Maximum Gate Emitter Voltage：20 V
- Continuous Collector Current at 25 C：87 A
- Pd - Power Dissipation：441 W
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Qualification：AEC-Q101
- Continuous Collector Current Ic Max：57 A
- Gate-Emitter Leakage Current：250 nA
- Factory Pack Quantity：600
- Unit Weight：0.081836 oz
- Packaging：Reel
- Configuration：Single
在庫數 96
小計金額 $0.00000
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