FQPF9N90CT

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3 Full Pack
MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F
Date Sheet

在庫數 9600

1+： $4.05458
10+： $3.82507
100+： $3.60856
500+： $3.40430
1000+： $3.21160

小計金額 $4.05458

仕様よくある質問

Factory Lead Time：10 Weeks
Package / Case：TO-220-3 Full Pack
Mounting Type：Through Hole
Mount：Through Hole
Number of Pins：3
Weight：2.27g
Transistor Element Material：SILICON
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
Turn Off Delay Time：100 ns
Power Dissipation (Max)：68W Tc
Number of Elements：1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A Tc
Published：2013
Series：QFET®
Packaging：Tube
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：3
ECCN Code：EAR99
Resistance：1.4Ohm
Terminal Finish：Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：68W
Case Connection：ISOLATED
Turn On Delay Time：50 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.4 Ω @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2730pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：58nC @ 10V
Rise Time：120ns
Vgs (Max)：±30V
Fall Time (Typ)：75 ns
Continuous Drain Current (ID)：8A
Threshold Voltage：3V
JEDEC-95 Code：TO-220AB
Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
Drain Current-Max (Abs) (ID)：8A
Drain to Source Breakdown Voltage：900V
Avalanche Energy Rating (Eas)：900 mJ
Nominal Vgs：3 V
Width：4.9mm
Length：10.36mm
Height：16.07mm
RoHS Status：ROHS3 Compliant
REACH SVHC：not_compliant
Lead Free：Lead Free

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