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NCP5106BDR2G
-
ON Semiconductor
-
PMIC - Gate Drivers
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- NCP5106BDR2G; Dual MOSFET Power Driver; 0.5A Half Bridge; 10 to 20V; ; 8-Pin SOIC
Date Sheet
在庫數 22500
- 1+： $0.96165
- 10+： $0.90722
- 100+： $0.85587
- 500+： $0.80742
- 1000+： $0.76172
小計金額 $0.96165
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Driver Configuration：Half-Bridge
- Logic voltage-VIL, VIH：0.8V 2.3V
- Operating Temperature：-40°C~125°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- Termination：SMD/SMT
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Supply：10V~20V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Number of Functions：1
- Supply Voltage：15V
- Base Part Number：NCP5106
- Pin Count：8
- Output Voltage：700mV
- Max Output Current：500mA
- Power Supplies：15V
- Nominal Supply Current：5mA
- Max Supply Current：5mA
- Propagation Delay：170 ns
- Input Type：Non-Inverting
- Turn On Delay Time：170 ns
- Halogen Free：Halogen Free
- Rise Time：160ns
- Fall Time (Typ)：75 ns
- Rise / Fall Time (Typ)：85ns 35ns
- Channel Type：Independent
- Number of Drivers：2
- Turn On Time：0.17 µs
- Gate Type：IGBT, N-Channel MOSFET
- Current - Peak Output (Source, Sink)：250mA 500mA
- Turn Off Time：0.17 µs
- Built-in Protections：UNDER VOLTAGE
- High Side Voltage - Max (Bootstrap)：600V
- Output Current Flow Direction：SOURCE SINK
- Height：1.5mm
- Length：5mm
- Width：4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 22500
- 1+： $0.96165
- 10+： $0.90722
- 100+： $0.85587
- 500+： $0.80742
- 1000+： $0.76172
小計金額 $0.96165
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