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BLV32F
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Advanced
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Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- Axial
- RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Package / Case：Axial
- Supplier Device Package：Axial
- Emitter- Base Voltage VEBO：4 V
- Pd - Power Dissipation：82 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：20
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Mounting Styles：Screw Mount
- Manufacturer：Advanced Semiconductor, Inc.
- Brand：Advanced Semiconductor, Inc.
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：32 V
- Operating Temperature：-55°C ~ 250°C
- Series：Military, MIL-PRF-39007, RWR81S
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Size / Dimension：0.085 Dia x 0.250 L (2.16mm x 6.35mm)
- Tolerance：±1%
- Part Status：Active
- Number of Terminations：2
- Temperature Coefficient：±50ppm/°C
- Type：RF Bipolar Power
- Resistance：2.1 Ohms
- Composition：Wirewound
- Power (Watts)：1W
- Subcategory：Transistors
- Technology：Si
- Operating Frequency：224 MHz
- Failure Rate：S (0.001%)
- Product Type：RF Bipolar Transistors
- Transistor Type：Bipolar Power
- Continuous Collector Current：4 A
- Features：Military, Moisture Resistant
- Product Category：RF Bipolar Transistors
- Height Seated (Max)：--
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