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MRF581
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Advanced
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Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- RF Bipolar Transistors NPN SILICON RF TRANSISTOR
Date Sheet
在庫數 0
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Emitter- Base Voltage VEBO：2.5 V
- Pd - Power Dissipation：2.5 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：50
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：Through Hole
- Manufacturer：Advanced Semiconductor, Inc.
- Brand：Advanced Semiconductor, Inc.
- Maximum DC Collector Current：200 mA
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：18 V
- Subcategory：Transistors
- Technology：Si
- Operating Frequency：1 GHz
- Configuration：Single
- Product Type：RF Bipolar Transistors
- Transistor Type：Bipolar
- Continuous Collector Current：200 mA
- Product Category：RF Bipolar Transistors
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