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MS2202
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Microchip
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Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- NPN 2 W 35 V 1025 to 1150 MHz Surface Mount RF Microwave Transistor - M-115
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Mount：Chassis Mount, Surface Mount
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：4
- Number of Terminals：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：3.5 V
- RoHS：Compliant
- Package Description：HERMETIC SEALED, M115, 4 PIN
- Package Style：DISK BUTTON
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：MS2202
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.65
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：No
- Terminal Finish：TIN LEAD
- Max Operating Temperature：200 °C
- Min Operating Temperature：-65 °C
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY
- Subcategory：Other Transistors
- Max Power Dissipation：10 W
- Terminal Position：RADIAL
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：4
- JESD-30 Code：O-CRDB-F4
- Qualification Status：Not Qualified
- Polarity：NPN
- Configuration：SINGLE
- Case Connection：BASE
- Output Power：2 W
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：NPN
- Max Collector Current：250 mA
- Gain：9 dB
- Max Frequency：1.15 GHz
- Transition Frequency：1.15 GHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：45 V
- Power Dissipation-Max (Abs)：10 W
- Collector Current-Max (IC)：0.25 A
- DC Current Gain-Min (hFE)：30
- Highest Frequency Band：L BAND
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
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