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画像はあくまで参考です。
MRF581A
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Advanced
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Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- Macro-X
- RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet
在庫數 3569
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：Macro-X
- Emitter- Base Voltage VEBO：2.5 V
- Pd - Power Dissipation：1.25 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：90
- Unit Weight：0.003527 oz
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Manufacturer：Advanced Semiconductor, Inc.
- Brand：Advanced Semiconductor, Inc.
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：15 V
- Packaging：Tray
- Type：RF Bipolar Small Signal
- Subcategory：Transistors
- Technology：Si
- Operating Frequency：1 GHz
- Product Type：RF Bipolar Transistors
- Transistor Type：Bipolar
- Continuous Collector Current：200 mA
- Product Category：RF Bipolar Transistors
在庫數 3569
小計金額 $0.00000
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