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MRF553
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Advanced
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Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- 317D-02
- RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Package / Case：317D-02
- Emitter- Base Voltage VEBO：4 V
- Pd - Power Dissipation：3 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：30
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Manufacturer：Advanced Semiconductor, Inc.
- Brand：Advanced Semiconductor, Inc.
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：16 V
- Packaging：Tray
- Type：RF Bipolar Small Signal
- Subcategory：Transistors
- Technology：Si
- Operating Frequency：175 MHz
- Product Type：RF Bipolar Transistors
- Transistor Type：Bipolar
- Continuous Collector Current：500 mA
- Product Category：RF Bipolar Transistors
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