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STGP30NC60W
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STMicroelectronics
-
Transistors - IGBTs - Single
- TO-220-3
- STMICROELECTRONICS STGP30NC60W IGBT Single Transistor, 30 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
Date Sheet
在庫數 32363
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：390V, 20A, 10 Ω, 15V
- Turn Off Delay Time：118 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：PowerMESH™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：600V
- Max Power Dissipation：200W
- Current Rating：30A
- Base Part Number：STGP30
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：200W
- Input Type：Standard
- Turn On Delay Time：29.5 ns
- Transistor Application：MOTOR CONTROL
- Rise Time：12ns
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：600V
- Max Collector Current：60A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Turn On Time：42.5 ns
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：2.5V @ 15V, 20A
- Turn Off Time-Nom (toff)：189 ns
- Gate Charge：102nC
- Current - Collector Pulsed (Icm)：150A
- Td (on/off) @ 25°C：29.5ns/118ns
- Switching Energy：305μJ (on), 181μJ (off)
- Gate-Emitter Voltage-Max：20V
- Gate-Emitter Thr Voltage-Max：5.75V
- Height：15.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 32363
小計金額 $0.00000
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