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STGP30M65DF2
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STMicroelectronics
-
Transistors - IGBTs - Single
- TO-220-3
- STMICROELECTRONICS STGP30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-220, 3 Pins
Date Sheet
在庫數 150000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：30 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：650V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.55V
- Test Conditions：400V, 30A, 10 Ω, 15V
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Max Power Dissipation：258W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STGP30
- Element Configuration：Single
- Input Type：Standard
- Power - Max：258W
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：2V
- Max Collector Current：60A
- Reverse Recovery Time：140 ns
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：2V @ 15V, 30A
- IGBT Type：Trench Field Stop
- Gate Charge：80nC
- Current - Collector Pulsed (Icm)：120A
- Td (on/off) @ 25°C：31.6ns/115ns
- Switching Energy：300μJ (on), 960μJ (off)
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 150000
小計金額 $0.00000
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