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STGP10NC60H
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STMicroelectronics
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Transistors - IGBTs - Single
- TO-220-3
- IGBT 600V 20A 60W TO220
Date Sheet
在庫數 32363
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-220-3
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Transistor Element Material：SILICON
- Test Conditions：390V, 5A, 10 Ω, 15V
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.9V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Series：PowerMESH™
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：600V
- Max Power Dissipation：60W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Current Rating：20A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STGP10
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：60W
- Input Type：Standard
- Transistor Application：POWER CONTROL
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：600V
- Max Collector Current：20A
- Reverse Recovery Time：22 ns
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Turn On Time：19 ns
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：2.5V @ 15V, 5A
- Turn Off Time-Nom (toff)：247 ns
- Gate Charge：19.2nC
- Td (on/off) @ 25°C：14.2ns/72ns
- Switching Energy：31.8μJ (on), 95μJ (off)
- Gate-Emitter Voltage-Max：20V
- Gate-Emitter Thr Voltage-Max：5.75V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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