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EGP30B
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ON Semiconductor
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Diodes - Rectifiers - Single
- DO-201AD, Axial
- In a Pack of 25, ON Semi 100V 3A, Silicon Junction Diode, 2-Pin DO-201AD EGP30B
Date Sheet
在庫數 36
- 1+： $0.26175
- 10+： $0.24694
- 100+： $0.23296
- 500+： $0.21977
- 1000+： $0.20733
小計金額 $0.26175
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：DO-201AD, Axial
- Number of Pins：2
- Weight：360mg
- Diode Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-65°C
- Applications：EFFICIENCY
- HTS Code：8541.10.00.80
- Capacitance：95pF
- Voltage - Rated DC：100V
- Terminal Form：WIRE
- Current Rating：3A
- Base Part Number：EGP30B
- Element Configuration：Single
- Speed：Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Diode Type：Standard
- Current - Reverse Leakage @ Vr：5μA @ 100V
- Power Dissipation：6.25W
- Output Current：3A
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：950mV @ 3A
- Case Connection：ISOLATED
- Forward Current：3A
- Operating Temperature - Junction：-65°C~150°C
- Max Surge Current：125A
- Forward Voltage：950mV
- Max Reverse Voltage (DC)：100V
- Average Rectified Current：3A
- Number of Phases：1
- Reverse Recovery Time：50 ns
- Peak Reverse Current：5μA
- Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)：100V
- Capacitance @ Vr, F：95pF @ 4V 1MHz
- Peak Non-Repetitive Surge Current：125A
- Reverse Voltage：100V
- Max Forward Surge Current (Ifsm)：125A
- Recovery Time：50 ns
- Natural Thermal Resistance：20 °C/W
- Diameter：5.6mm
- Height：9.5mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 36
- 1+： $0.26175
- 10+： $0.24694
- 100+： $0.23296
- 500+： $0.21977
- 1000+： $0.20733
小計金額 $0.26175
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