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LET9045
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
- TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A
Date Sheet
在庫數 56
- 1+： $32.08322
- 10+： $30.26719
- 100+： $28.55395
- 500+： $26.93769
- 1000+： $25.41292
小計金額 $32.08322
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Package / Case：PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
- Number of Pins：4
- Number of Elements：1
- Voltage Rated：80V
- Usage Level：Military grade
- Packaging：Tray
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：3 (168 Hours)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Max Operating Temperature：165°C
- Min Operating Temperature：-65°C
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY
- Max Power Dissipation：79W
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：250
- Current Rating：9A
- Frequency：960MHz
- Base Part Number：LET9045
- Pin Count：10
- JESD-30 Code：R-PDSO-G2
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：79W
- Case Connection：SOURCE
- Current - Test：300mA
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Transistor Type：LDMOS
- Continuous Drain Current (ID)：5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：15V
- Max Output Power：59W
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：9A
- DS Breakdown Voltage-Min：80V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Voltage - Test：28V
- Power Gain：17.5dB
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 56
- 1+： $32.08322
- 10+： $30.26719
- 100+： $28.55395
- 500+： $26.93769
- 1000+： $25.41292
小計金額 $32.08322
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