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PD57070-E
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
- FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
Date Sheet
在庫數 22
- 1+： $24.83959
- 10+： $23.43358
- 100+： $22.10715
- 500+： $20.85580
- 1000+： $19.67528
小計金額 $24.83959
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：11 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Package / Case：PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Number of Elements：1
- Usage Level：Military grade
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：3 (168 Hours)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Max Operating Temperature：165°C
- Min Operating Temperature：-65°C
- Max Power Dissipation：95W
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：250
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Current Rating：7A
- Frequency：945MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：PD57070
- Pin Count：10
- JESD-30 Code：R-PDSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：95W
- Case Connection：SOURCE
- Current - Test：250mA
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Drain to Source Voltage (Vdss)：65V
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Transistor Type：LDMOS
- Continuous Drain Current (ID)：7A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Gain：14.7dB
- Max Output Power：70W
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：7A
- Drain to Source Breakdown Voltage：65V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Voltage - Test：28V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 22
- 1+： $24.83959
- 10+： $23.43358
- 100+： $22.10715
- 500+： $20.85580
- 1000+： $19.67528
小計金額 $24.83959
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