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PD57018-E
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
Date Sheet
在庫數 1200
- 1+： $24.87244
- 10+： $23.46456
- 100+： $22.13638
- 500+： $20.88338
- 1000+： $19.70130
小計金額 $24.87244
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：25 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Package / Case：PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Number of Pins：3
- Number of Elements：1
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：3 (168 Hours)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Max Operating Temperature：165°C
- Min Operating Temperature：-65°C
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY
- Voltage - Rated DC：65V
- Max Power Dissipation：31.7W
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：250
- Current Rating：2.5A
- Frequency：945MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：PD57018
- Pin Count：10
- JESD-30 Code：R-PDSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：31.7W
- Case Connection：SOURCE
- Current - Test：100mA
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Drain to Source Voltage (Vdss)：65V
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Transistor Type：LDMOS
- Continuous Drain Current (ID)：2.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Max Output Power：18W
- Drain to Source Breakdown Voltage：65V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Drain to Source Resistance：760mOhm
- Voltage - Test：28V
- Min Breakdown Voltage：65V
- Power Gain：16.5dB
- Height：3.5mm
- Length：7.5mm
- Width：9.4mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1200
- 1+： $24.87244
- 10+： $23.46456
- 100+： $22.13638
- 500+： $20.88338
- 1000+： $19.70130
小計金額 $24.87244
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