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画像はあくまで参考です。
ULN2001A
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
- 16-DIP (0.300, 7.62mm)
- STMICROELECTRONICS ULN2001A Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
Date Sheet
在庫數 50000
- 1+： $0.52439
- 10+： $0.49470
- 100+： $0.46670
- 500+： $0.44028
- 1000+： $0.41536
小計金額 $0.52439
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：15 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：16-DIP (0.300, 7.62mm)
- Number of Pins：16
- Weight：1.627801g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.1V
- Number of Elements：7
- hFEMin：1000
- Operating Temperature：-40°C~85°C TA
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e4
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：16
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Additional Feature：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Voltage - Rated DC：50V
- Terminal Position：DUAL
- Current Rating：500mA
- Base Part Number：ULN2001
- Pin Count：16
- Output Voltage：50V
- Polarity：NPN
- Configuration：COMPLEX
- Number of Channels：7
- Output Current：500mA
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：7 NPN Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：1000 @ 350mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.6V @ 500μA, 350mA
- Height：4.59mm
- Length：20mm
- Width：7.1mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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