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画像はあくまで参考です。
BC856BLT1G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
Date Sheet
在庫數 30000
- 1+： $0.11728
- 10+： $0.11064
- 100+： $0.10438
- 500+： $0.09847
- 1000+： $0.09290
小計金額 $0.11728
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：65V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-650mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：100MHz
- Power Dissipation (Max)：300mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：220
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-65V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：-100mA
- Frequency：100MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：300mW
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：65V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：220 @ 2mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：15nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：650mV @ 5mA, 100mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：65V
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：940μm
- Length：2.9mm
- Width：1.3mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 30000
- 1+： $0.11728
- 10+： $0.11064
- 100+： $0.10438
- 500+： $0.09847
- 1000+： $0.09290
小計金額 $0.11728
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