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画像はあくまで参考です。
BCP56-16
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- BCP56 Series 80 V 1 A 1.6 W Surface Mount Low Power NPN Transistor - SOT-223
Date Sheet
在庫數 1264
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Manufacturer Package Identifier：SOT-223-P008
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Power Dissipation (Max)：1.6W
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：BCP56
- JESD-30 Code：R-PDSO-G4
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.6W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：1A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 150mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
- Transition Frequency：120MHz
- Max Breakdown Voltage：80V
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Height：1.82mm
- Length：6.7mm
- Width：3.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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