日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
BC32740BU
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
Date Sheet
在庫數 8000
- 1+： $0.29064
- 10+： $0.27419
- 100+： $0.25867
- 500+： $0.24403
- 1000+： $0.23022
小計金額 $0.29064
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：7 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Number of Pins：3
- Weight：179mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-700mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-45V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：-800mA
- Frequency：100MHz
- Base Part Number：BC327
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：100MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：45V
- Max Collector Current：800mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：250 @ 100mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：700mV @ 50mA, 500mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：60V
- Collector Base Voltage (VCBO)：50V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Height：4.58mm
- Length：4.58mm
- Width：3.86mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
