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画像はあくまで参考です。
2N6517BU
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN 350V 0.5A TO-92
Date Sheet
在庫數 200
- 1+： $0.28203
- 10+： $0.26606
- 100+： $0.25100
- 500+： $0.23680
- 1000+： $0.22339
小計金額 $0.28203
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Number of Pins：3
- Weight：179mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：350V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
- Number of Elements：1
- hFEMin：30
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：350V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：500mA
- Frequency：200MHz
- Base Part Number：2N6517
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Gain Bandwidth Product：200MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：350V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20 @ 50mA 10V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1V @ 5mA, 50mA
- Transition Frequency：40MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：350V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- Height：4.58mm
- Length：4.58mm
- Width：3.86mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 200
- 1+： $0.28203
- 10+： $0.26606
- 100+： $0.25100
- 500+： $0.23680
- 1000+： $0.22339
小計金額 $0.28203
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