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2DA1797-13
-
Diodes Incorporated
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-243AA
- TRANS PNP 50V 3A SOT89-3
Date Sheet
在庫數 7492
- 1+： $0.20176
- 10+： $0.19034
- 100+： $0.17956
- 500+： $0.16940
- 1000+： $0.15981
小計金額 $0.20176
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-243AA
- Number of Pins：4
- Weight：51.993025mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-100mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：82
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2008
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Termination：SMD/SMT
- ECCN Code：EAR99
- Type：General Purpose
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：2W
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Frequency：160MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：2DA1797
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-F3
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：2W
- Case Connection：COLLECTOR
- Power - Max：900mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：160MHz
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：3A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：82 @ 500mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：350mV @ 50mA, 1A
- Transition Frequency：160MHz
- Max Breakdown Voltage：50V
- Collector Base Voltage (VCBO)：50V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- Height：1.5mm
- Length：4.5mm
- Width：2.5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 7492
- 1+： $0.20176
- 10+： $0.19034
- 100+： $0.17956
- 500+： $0.16940
- 1000+： $0.15981
小計金額 $0.20176
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