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画像はあくまで参考です。
BF720T1G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
Date Sheet
在庫數 16000
- 1+： $0.58778
- 10+： $0.55451
- 100+： $0.52312
- 500+： $0.49351
- 1000+： $0.46558
小計金額 $0.58778
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：300V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：600mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：50
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Published：2006
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Type：General Purpose
- Voltage - Rated DC：300V
- Max Power Dissipation：1.5W
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：100mA
- Frequency：60MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：BF720
- Pin Count：4
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.5W
- Case Connection：COLLECTOR
- Gain Bandwidth Product：60MHz
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：300V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：50 @ 25mA 20V
- Current - Collector Cutoff (Max)：10nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 30mA
- Transition Frequency：60MHz
- Max Breakdown Voltage：300V
- Collector Base Voltage (VCBO)：300V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：1.65mm
- Length：6.7mm
- Width：3.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 16000
- 1+： $0.58778
- 10+： $0.55451
- 100+： $0.52312
- 500+： $0.49351
- 1000+： $0.46558
小計金額 $0.58778
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