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画像はあくまで参考です。
MMBT100
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet
在庫數 122556
- 1+： $0.23555
- 10+： $0.22222
- 100+： $0.20964
- 500+： $0.19778
- 1000+： $0.18658
小計金額 $0.23555
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
- Factory Lead Time：39 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：400mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：250MHz
- Power Dissipation (Max)：350mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2008
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：45V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：500mA
- Frequency：250MHz
- Base Part Number：MMBT100
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：350mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：45V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 150mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：400mV @ 20mA, 200mA
- Transition Frequency：250MHz
- Max Breakdown Voltage：45V
- Collector Base Voltage (VCBO)：75V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- VCEsat-Max：0.2 V
- Collector-Base Capacitance-Max：4.5pF
- Height：970μm
- Length：2.9mm
- Width：1.3mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 122556
- 1+： $0.23555
- 10+： $0.22222
- 100+： $0.20964
- 500+： $0.19778
- 1000+： $0.18658
小計金額 $0.23555
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