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画像はあくまで参考です。
2N4403TA
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
Date Sheet
在庫數 33000
- 1+： $0.22428
- 10+： $0.21158
- 100+： $0.19960
- 500+： $0.18831
- 1000+： $0.17765
小計金額 $0.22428
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：240mg
- Transistor Element Material：SILICON
- hFEMin：100
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Saturation Voltage：750mV
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：40V
- Published：2007
- Packaging：Tape & Box (TB)
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-40V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：-600mA
- Frequency：200MHz
- Base Part Number：2N4403
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：200MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：40V
- Max Collector Current：600mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 150mA 2V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：750mV @ 50mA, 500mA
- Transition Frequency：200MHz
- Max Breakdown Voltage：40V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-40V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Turn Off Time-Max (toff)：255ns
- Width：4.19mm
- Length：5.2mm
- Height：5.33mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 33000
- 1+： $0.22428
- 10+： $0.21158
- 100+： $0.19960
- 500+： $0.18831
- 1000+： $0.17765
小計金額 $0.22428
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