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MPSA29
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN DARL 100V 0.8A TO-92
Date Sheet
在庫數 10000
- 1+： $0.41950
- 10+： $0.39576
- 100+： $0.37335
- 500+： $0.35222
- 1000+： $0.33228
小計金額 $0.41950
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Number of Pins：3
- Weight：201mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.2V
- Power Dissipation (Max)：625mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：10000
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：100V
- Terminal Position：BOTTOM
- Peak Reflow Temperature (Cel)：240
- Current Rating：800mA
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：MPSA29
- Qualification Status：Not Qualified
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：10000 @ 100mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.5V @ 100μA, 100mA
- Transition Frequency：200MHz
- Max Breakdown Voltage：100V
- Frequency - Transition：125MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：12V
- Continuous Collector Current：500mA
- Height：4.7mm
- Length：4.7mm
- Width：3.93mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 10000
- 1+： $0.41950
- 10+： $0.39576
- 100+： $0.37335
- 500+： $0.35222
- 1000+： $0.33228
小計金額 $0.41950
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