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BD13916S
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- 1.5 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor
Date Sheet
在庫數 4000
- 1+： $1.34335
- 10+： $1.26731
- 100+： $1.19558
- 500+： $1.12790
- 1000+： $1.06406
小計金額 $1.34335
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：22 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Number of Pins：3
- Weight：761mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Termination：Through Hole
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：80V
- Max Power Dissipation：1.25W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：1.5A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：BD139
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.25W
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：1.5A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 150mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：11mm
- Length：8mm
- Width：3.25mm
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 4000
- 1+： $1.34335
- 10+： $1.26731
- 100+： $1.19558
- 500+： $1.12790
- 1000+： $1.06406
小計金額 $1.34335
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