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画像はあくまで参考です。
MJE181G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- TRANS NPN 60V 3A TO225AA
Date Sheet
在庫數 88168
- 1+： $0.93490
- 10+： $0.88198
- 100+： $0.83206
- 500+： $0.78496
- 1000+： $0.74053
小計金額 $0.93490
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.7V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：50MHz
- Power Dissipation (Max)：1.5W
- Number of Elements：1
- hFEMin：50
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：60V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：3A
- Frequency：50MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：MJE181
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：12.5W
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：3A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：50 @ 100mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.7V @ 600mA, 3A
- Transition Frequency：50MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：7V
- Height：11.0998mm
- Length：7.7978mm
- Width：2.9972mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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