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BD237
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STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- Bipolar (Bjt) Single Transistor, Npn, 80 V, 3 Mhz, 25 W, 2 A, 40 Rohs Compliant: Yes
Date Sheet
在庫數 7950
- 1+： $0.81426
- 10+： $0.76817
- 100+： $0.72469
- 500+： $0.68367
- 1000+： $0.64497
小計金額 $0.81426
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：600mV
- hFEMin：40
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：100V
- Max Power Dissipation：25W
- Current Rating：2A
- Frequency：3MHz
- Base Part Number：BD237
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：25W
- Case Connection：ISOLATED
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：3MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：2A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：25 @ 1A 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100μA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：600mV @ 100mA, 1A
- Transition Frequency：3MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- VCEsat-Max：0.6 V
- Height：10.8mm
- Length：7.8mm
- Width：2.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 7950
- 1+： $0.81426
- 10+： $0.76817
- 100+： $0.72469
- 500+： $0.68367
- 1000+： $0.64497
小計金額 $0.81426
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