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画像はあくまで参考です。
2N5192G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- TRANS NPN 80V 4A TO225AA
Date Sheet
在庫數 2617
- 1+： $0.52957
- 10+： $0.49959
- 100+： $0.47131
- 500+： $0.44463
- 1000+： $0.41947
小計金額 $0.52957
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.4V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：2MHz
- Power Dissipation (Max)：40W
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：80V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：4A
- Frequency：2MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：2N5192
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：40W
- Transistor Application：SWITCHING
- Halogen Free：Halogen Free
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20 @ 1.5A 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1mA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.4V @ 1A, 4A
- Transition Frequency：2MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：11.0998mm
- Length：7.7978mm
- Width：2.9972mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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