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画像はあくまで参考です。
D45VH10G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- Trans GP BJT PNP 80V 15A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
Date Sheet
在庫數 2000
- 1+： $0.92696
- 10+： $0.87449
- 100+： $0.82499
- 500+： $0.77829
- 1000+： $0.73424
小計金額 $0.92696
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
- Number of Elements：1
- hFEMin：35
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-80V
- Max Power Dissipation：83W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：-15A
- Frequency：50MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：83W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：50MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：15A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20 @ 4A 1V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1V @ 800mA, 8A
- Transition Frequency：50MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：7V
- Height：15.75mm
- Length：10.28mm
- Width：4.82mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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