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画像はあくまで参考です。
BD241CG
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS NPN 100V 3A TO220AB
Date Sheet
在庫數 31800
- 1+： $1.11766
- 10+： $1.05440
- 100+： $0.99471
- 500+： $0.93841
- 1000+： $0.88529
小計金額 $1.11766
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.2V
- Number of Elements：1
- hFEMin：25
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2010
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
- Voltage - Rated DC：100V
- Max Power Dissipation：40W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：3A
- Frequency：3MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：BD241
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：40mW
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：3MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：3A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：25 @ 1A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：300μA
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.2V @ 600mA, 3A
- Transition Frequency：3MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：90V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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