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画像はあくまで参考です。
2N3772G
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-204AA, TO-3
- ON SEMICONDUCTOR - 2N3772G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 200 kHz, 150 W, 20 A, 60 hFE
Date Sheet
在庫數 3
- 1+： $7.20933
- 10+： $6.80125
- 100+： $6.41628
- 500+： $6.05309
- 1000+： $5.71046
小計金額 $7.20933
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-204AA, TO-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：2
- Weight：13.607771g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.4V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：200 kHz
- Power Dissipation (Max)：150W
- Number of Elements：1
- hFEMin：15
- Operating Temperature：-65°C~200°C TJ
- Packaging：Tray
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：60V
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：PIN/PEG
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：20A
- Frequency：200kHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：2N3772
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：150W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：20A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：15 @ 10A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：10mA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：4V @ 4A, 20A
- Transition Frequency：0.2MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：7V
- Height：26.67mm
- Length：39.37mm
- Width：8.509mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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