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画像はあくまで参考です。
TIP29BG
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ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS NPN 80V 1A TO220AB
Date Sheet
在庫數 1645
- 1+： $2.74377
- 10+： $2.58846
- 100+： $2.44194
- 500+： $2.30372
- 1000+： $2.17332
小計金額 $2.74377
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：700mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：3MHz
- Power Dissipation (Max)：2W
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：1999
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：80V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：1A
- Frequency：3MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：TIP29
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：2W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：1A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：15 @ 1A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：300μA
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：700mV @ 125mA, 1A
- Transition Frequency：3MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：6.35mm
- Length：6.35mm
- Width：25.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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