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画像はあくまで参考です。
MSB92T1G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- High Voltage PNP Bipolar Transistor
Date Sheet
在庫數 122556
- 1+： $0.21690
- 10+： $0.20462
- 100+： $0.19304
- 500+： $0.18211
- 1000+： $0.17181
小計金額 $0.21690
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：300V
- Number of Elements：1
- hFEMin：25
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2009
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-300V
- Max Power Dissipation：150mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：-500mA
- Frequency：50MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：150mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：50MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：300V
- Max Collector Current：150mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：25 @ 30mA 10V
- Current - Collector Cutoff (Max)：250nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 2mA, 20mA
- Transition Frequency：50MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：300V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 122556
- 1+： $0.21690
- 10+： $0.20462
- 100+： $0.19304
- 500+： $0.18211
- 1000+： $0.17181
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