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画像はあくまで参考です。
FJN3303FTA
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor
Date Sheet
在庫數 4756
- 1+： $0.22103
- 10+： $0.20852
- 100+： $0.19672
- 500+： $0.18558
- 1000+： $0.17508
小計金額 $0.22103
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Weight：240mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：400V
- Power Dissipation (Max)：650mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：14
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Box (TB)
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Position：BOTTOM
- Frequency：4MHz
- Base Part Number：FJN3303
- Configuration：SINGLE
- Power Dissipation：650mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：400V
- Max Collector Current：1.5A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：14 @ 500mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：10μA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：3V @ 500mA, 1.5A
- Transition Frequency：4MHz
- Max Breakdown Voltage：400V
- Collector Base Voltage (VCBO)：700V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：9V
- Turn Off Time-Max (toff)：4700ns
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 4756
- 1+： $0.22103
- 10+： $0.20852
- 100+： $0.19672
- 500+： $0.18558
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