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BD13810STU
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Date Sheet
在庫數 16519
- 1+： $0.80381
- 10+： $0.75831
- 100+： $0.71539
- 500+： $0.67489
- 1000+： $0.63669
小計金額 $0.80381
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Number of Pins：3
- Weight：761mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-500mV
- Power Dissipation (Max)：1.25W
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-60V
- Current Rating：-1.5A
- Base Part Number：BD138
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.25W
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：1.5A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：63 @ 150mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
- Transition Frequency：3MHz
- Max Breakdown Voltage：45V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Height：11mm
- Length：8mm
- Width：3.25mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 16519
- 1+： $0.80381
- 10+： $0.75831
- 100+： $0.71539
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