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画像はあくまで参考です。
BD239CTU
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS NPN 100V 2A TO-220
Date Sheet
在庫數 2000
- 1+： $1.30294
- 10+： $1.22919
- 100+： $1.15961
- 500+： $1.09397
- 1000+： $1.03205
小計金額 $1.30294
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：700mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：15
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：100V
- Max Power Dissipation：30W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：2A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：BD239
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：30W
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：2A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：15 @ 1A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：300μA
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：700mV @ 200mA, 1A
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：15.7mm
- Length：9.9mm
- Width：4.5mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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