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画像はあくまで参考です。
BUV21G
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ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-204AE
- Bipolar Transistors - BJT 40A 200V 250W NPN
Date Sheet
在庫數 36000
- 1+： $36.37084
- 10+： $34.31212
- 100+： $32.36992
- 500+： $30.53766
- 1000+： $28.80911
小計金額 $36.37084
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Contact Plating：Copper, Silver, Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-204AE
- Number of Pins：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：200V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：8MHz
- Power Dissipation (Max)：250W
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- Operating Temperature：-65°C~200°C TJ
- Packaging：Tray
- Series：SWITCHMODE™
- Published：2005
- JESD-609 Code：e1
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Voltage - Rated DC：200V
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：PIN/PEG
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：40A
- Frequency：8MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：250W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：200V
- Max Collector Current：40A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20 @ 12A 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：3mA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.5V @ 3A, 25A
- Transition Frequency：8MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：250V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：7V
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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