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画像はあくまで参考です。
2SB1216S-E
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- TRANS PNP 100V 4A TP
Date Sheet
在庫數 180
- 1+： $0.31636
- 10+： $0.29845
- 100+： $0.28156
- 500+： $0.26562
- 1000+： $0.25059
小計金額 $0.31636
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Number of Elements：1
- hFEMin：70
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2012
- JESD-609 Code：e6
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- HTS Code：8541.29.00.75
- Max Power Dissipation：1W
- Terminal Position：SINGLE
- Base Part Number：2SB1216
- Pin Count：3
- Configuration：SINGLE
- Case Connection：COLLECTOR
- Power - Max：1W
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：140 @ 500mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1μA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 200mA, 2A
- Transition Frequency：130MHz
- Frequency - Transition：130MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：120V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-6V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 180
- 1+： $0.31636
- 10+： $0.29845
- 100+： $0.28156
- 500+： $0.26562
- 1000+： $0.25059
小計金額 $0.31636
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