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画像はあくまで参考です。
BDW93CTU
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS NPN DARL 100V 12A TO-220
Date Sheet
在庫數 31215
- 1+： $0.44698
- 10+： $0.42168
- 100+： $0.39781
- 500+： $0.37529
- 1000+： $0.35405
小計金額 $0.44698
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
- Number of Elements：1
- hFEMin：1000
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：100V
- Max Power Dissipation：80W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：12A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：BDW93
- Qualification Status：Not Qualified
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：12A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：750 @ 5A 3V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1mA
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：3V @ 100mA, 10A
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：12V
- Height：9.4mm
- Length：10.1mm
- Width：4.7mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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