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画像はあくまで参考です。
PN2222TF
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purp Amp
Date Sheet
在庫數 28000
- 1+： $0.30673
- 10+： $0.28937
- 100+： $0.27299
- 500+： $0.25754
- 1000+： $0.24296
小計金額 $0.30673
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Weight：240mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：30V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：600mA
- Frequency：300MHz
- Base Part Number：PN2222
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Gain Bandwidth Product：300MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：30V
- Max Collector Current：600mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 150mA 10mV
- Current - Collector Cutoff (Max)：10nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1V @ 50mA, 500mA
- Transition Frequency：300MHz
- Max Breakdown Voltage：30V
- Collector Base Voltage (VCBO)：60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：5.33mm
- Length：5.2mm
- Width：4.19mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 28000
- 1+： $0.30673
- 10+： $0.28937
- 100+： $0.27299
- 500+： $0.25754
- 1000+： $0.24296
小計金額 $0.30673
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