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画像はあくまで参考です。
KSP92TA
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- KSP92 Series 300 V CE Breakdown 0.5 A PNP Epitaxial Silicon Transistor - TO-92
Date Sheet
在庫數 100000
- 1+： $0.24423
- 10+： $0.23040
- 100+： $0.21736
- 500+： $0.20506
- 1000+： $0.19345
小計金額 $0.24423
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Surface Mount, Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Weight：240.007063mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：300V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-500mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Box (TB)
- Published：2002
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-300V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：-500mA
- Frequency：50MHz
- Base Part Number：KSP92
- Voltage：300V
- Element Configuration：Single
- Current：500mA
- Power Dissipation：625mW
- Gain Bandwidth Product：50MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：300V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：25 @ 30mA 10V
- Current - Collector Cutoff (Max)：250nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 2mA, 20mA
- Transition Frequency：50MHz
- Max Breakdown Voltage：30V
- Collector Base Voltage (VCBO)：300V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Height：4.58mm
- Length：4.58mm
- Width：3.86mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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