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画像はあくまで参考です。
BC640TA
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- TRANS PNP 80V 1A TO-92
Date Sheet
在庫數 2410
- 1+： $0.53294
- 10+： $0.50277
- 100+： $0.47431
- 500+： $0.44746
- 1000+： $0.42214
小計金額 $0.53294
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Weight：240.007063mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-500mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：100MHz
- Power Dissipation (Max)：1W
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Box (TB)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-80V
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：-1A
- Frequency：100MHz
- Base Part Number：BC640
- Voltage：80V
- Element Configuration：Single
- Current：1A
- Power Dissipation：1W
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：1A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：40 @ 150mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：80V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：4.58mm
- Length：4.58mm
- Width：3.86mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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