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画像はあくまで参考です。
2SB1216S-TL-E
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
Date Sheet
在庫數 56743
- 1+： $0.92572
- 10+： $0.87332
- 100+： $0.82389
- 500+： $0.77726
- 1000+： $0.73326
小計金額 $0.92572
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-500mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：70
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2012
- JESD-609 Code：e6
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Max Power Dissipation：1W
- Terminal Form：GULL WING
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Frequency：180MHz
- Base Part Number：2SB1216
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：140 @ 500mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1μA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 200mA, 2A
- Transition Frequency：130MHz
- Frequency - Transition：130MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：120V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- Height：2.3mm
- Length：6.5mm
- Width：5.5mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 56743
- 1+： $0.92572
- 10+： $0.87332
- 100+： $0.82389
- 500+： $0.77726
- 1000+： $0.73326
小計金額 $0.92572
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