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2SD2703TL
-
ROHM Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- 3-SMD, Flat Lead
- TRANS NPN 30V 1A TUMT3
Date Sheet
在庫數 7782
- 1+： $0.81516
- 10+： $0.76902
- 100+： $0.72549
- 500+： $0.68442
- 1000+： $0.64568
小計金額 $0.81516
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Contact Plating：Copper, Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：3-SMD, Flat Lead
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：120mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：320MHz
- Power Dissipation (Max)：800mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：270
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2013
- JESD-609 Code：e2
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN COPPER
- HTS Code：8541.21.00.75
- Terminal Position：DUAL
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：10
- Base Part Number：2SD2703
- Element Configuration：Single
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：30V
- Max Collector Current：1A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：270 @ 100mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：350mV @ 25mA, 500mA
- Max Frequency：100MHz
- Transition Frequency：320MHz
- Max Breakdown Voltage：30V
- Collector Base Voltage (VCBO)：30V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- Height：820μm
- Length：2.1mm
- Width：1.8mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 7782
- 1+： $0.81516
- 10+： $0.76902
- 100+： $0.72549
- 500+： $0.68442
- 1000+： $0.64568
小計金額 $0.81516
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