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画像はあくまで参考です。
BC33725TF
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Date Sheet
在庫數 18
- 1+： $0.06686
- 10+： $0.06307
- 100+： $0.05950
- 500+： $0.05614
- 1000+： $0.05296
小計金額 $0.06686
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Weight：240mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：700mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：100MHz
- Power Dissipation (Max)：625mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：45V
- Terminal Position：BOTTOM
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：800mA
- Frequency：100MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：BC337
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：45V
- Max Collector Current：800mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：160 @ 100mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：700mV @ 50mA, 500mA
- Max Breakdown Voltage：45V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 18
- 1+： $0.06686
- 10+： $0.06307
- 100+： $0.05950
- 500+： $0.05614
- 1000+： $0.05296
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